Descriere
Modelul MDP10N055 utilizează tehnologie avansată MagnaChip MOSFET, oferind performanțe excelente în ceea ce privește rezistența în stare activă, viteza de comutare și fiabilitatea pe termen lung. Aceste dispozitive sunt ideale pentru aplicații industriale și electronice de putere, inclusiv vehicule electrice, convertoare DC/DC și aplicații de uz general.
Produsul este disponibil în seturi de 2 bucăți.
⚙️ Specificații tehnice:
-
Brand: MagnaChip
-
Model: MDP10N055
-
Tip tranzistor: N-MOSFET
-
Polarizare: unipolar
-
Tensiune drenă–sursă (V<sub>DSS</sub>): 100 V
-
Curent continuu drenă (I<sub>D</sub>): 130 A
-
Putere disipată (P<sub>D</sub>): 188 W
-
Carcasă: TO-220
-
Tensiune poartă–sursă (V<sub>GS</sub>): ±20 V
-
Rezistență ON (R<sub>DS(on)</sub>): max. 5,5 mΩ
-
Montare: THT (through-hole)
-
Încărcătură totală poartă (Q<sub>g</sub>): 78 nC
-
Tip ambalaj: Tub
-
Interval temperatură operare: –55 °C ~ +175 °C
-
Status RoHS: Fără halogen
⚠️ Avertizări de siguranță:
Produsul nu este conceput pentru utilizare în medii ostile, inclusiv, fără a se limita la: aeronave, generarea de energie nucleară, aparate medicale și dispozitive sau sisteme în care o funcționare defectuoasă poate duce, în mod rezonabil, la vătămări corporale.
